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DRAM 4164 (Samsung) Vergrößern

DRAM 4164 (versch. Hersteller)

DRM-4164

Überholt

64kb x 1 (8 KByte)

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Technische Daten

Kategorie Speicherbaustein
Montage THT
Speichertyp DRAM
Speicherorganisation 64kb x 1
Speicherkapazität 64kb
Gehäuse DIP16
Betriebsspannung 5V

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Gebrauchtware, verschiedene Geschwindigkeiten 120ns/150ns/200ns (bedingte Wahlmöglichkeit)

  • Hauptspeicher auf älteren C64-Platinen (8 Stück)
  • Hauptspeicher im Plus/4 (8 Stück)
  • In der REU 1700 verwendet (16 Stück)
  • Eignet sich modifiziert als Ersatz für einen 4116-RAM

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DRAM 4164 (versch. Hersteller)

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64kb x 1 (8 KByte)

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