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DRAM 4164 (TESLA)

BAU-DRM-4164T

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Technische Daten

Montage THT
Speichertyp DRAM
Speicherorganisation 64kb x 1
Speicherkapazität 64kb
Gehäuse DIP16
Zugriffszeit 100ns
Betriebsspannung 5V
Hersteller TESLA
Hersteller Artikelnummer MHB4164

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  • Hauptspeicher auf älteren C64-Platinen (8 Stück)
  • Hauptspeicher im Plus/4 (8 Stück)
  • In der REU 1700 verwendet (16 Stück)
  • Eignet sich modifiziert als Ersatz für einen 4116-RAM

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